F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 75A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 30mA
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12071.73 грн |
| 18+ | 9577.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F411MR12W2M1HPB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції F411MR12W2M1HPB76BPSA1 за ціною від 11536.47 грн до 15005.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
F411MR12W2M1HPB76BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - F411MR12W2M1HPB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| F411MR12W2M1HPB76BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
F411MR12W2M1HPB76BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 60A 34-Pin Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
F411MR12W2M1HPB76BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 60A 34-Pin Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
| F411MR12W2M1HPB76BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Module |
товару немає в наявності |