Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > F411MR12W2M1HPB76BPSA1
F411MR12W2M1HPB76BPSA1

F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies


infineon-f4-11mr12w2m1hp_b76-datasheet-v00_10-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 60A 34-Pin Tray
на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10712.98 грн
10+10022.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - F411MR12W2M1HPB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції F411MR12W2M1HPB76BPSA1 за ціною від 10793.77 грн до 17854.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
F411MR12W2M1HPB76BPSA1 F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-f4-11mr12w2m1hp_b76-datasheet-v00_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 60A 34-Pin Tray
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+10793.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
F411MR12W2M1HPB76BPSA1 F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Виробник : INFINEON 4130647.pdf Description: INFINEON - F411MR12W2M1HPB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+17250.51 грн
5+15809.74 грн
10+14368.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F411MR12W2M1HPB76BPSA1 F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-F4-11MR12W2M1HP_B76-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018b727907127c02 Description: MOSFET
Packaging: Tray
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+17256.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_F4_11MR12W2M1HP_B76_DataSheet_v00_10_EN-3421994.pdf Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+17854.05 грн
10+14658.51 грн
18+12615.90 грн
54+12559.39 грн
108+12535.90 грн
252+12533.70 грн
504+12530.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F411MR12W2M1HPB76BPSA1 F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-f4-11mr12w2m1hp_b76-datasheet-v00_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 60A 34-Pin Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-f4-11mr12w2m1hp_b76-datasheet-v00_10-en.pdf IGBT Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.