F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 30mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223nC @ 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 75A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 4 N-Channel
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 11194.95 грн |
| 18+ | 8882.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F411MR12W2M1HPB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, Verlustleistung: 20mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm.
Інші пропозиції F411MR12W2M1HPB76BPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
F411MR12W2M1HPB76BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - F411MR12W2M1HPB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| F411MR12W2M1HPB76BPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| F411MR12W2M1HPB76BPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F411MR12W2M1HPB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
Description: INFINEON - F411MR12W2M1HPB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| F411MR12W2M1HPB76BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)