F411MR12W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F411MR12W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F411MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 50Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції F411MR12W3M1HB11BPSA1 за ціною від 9214.65 грн до 11605.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
F411MR12W3M1HB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - F411MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 50Pin(s) Produktpalette: EasyPACK Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
F411MR12W3M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 50-Pin Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
F411MR12W3M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 50-Pin Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| F411MR12W3M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Description: F411MR12W3M1HB11BPSA1 Packaging: Tray |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| F411MR12W3M1HB11BPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F411MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - F411MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10202.23 грн |
| 5+ | 9708.85 грн |
| 10+ | 9214.65 грн |
| F411MR12W3M1HB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 50-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 50-Pin Tray
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11605.21 грн |
| 8+ | 11199.77 грн |
| F411MR12W3M1HB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 50-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 50-Pin Tray
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 11605.21 грн |
| F411MR12W3M1HB11BPSA1 |
|
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9677.70 грн |