F411MR12W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 11493.96 грн |
| 8+ | 11061.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F411MR12W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F411MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 50Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm.
Інші пропозиції F411MR12W3M1HB11BPSA1 за ціною від 9394.56 грн до 11493.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
F411MR12W3M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 50-Pin Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
F411MR12W3M1HB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - F411MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, ModultariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 50Pin(s) Produktpalette: EasyPACK Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
F411MR12W3M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| F411MR12W3M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Description: F411MR12W3M1HB11BPSA1Packaging: Tray |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| F411MR12W3M1HB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 50-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 50-Pin Tray
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 11493.96 грн |
| F411MR12W3M1HB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F411MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
Description: INFINEON - F411MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| F411MR12W3M1HB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
Discrete Semiconductor Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| F411MR12W3M1HB11BPSA1 |
![]() |
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 9394.56 грн |





