F411MR12W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 11462.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F411MR12W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F411MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 50Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції F411MR12W3M1HB11BPSA1 за ціною від 10034.53 грн до 15833.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
F411MR12W3M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 50-Pin Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
F411MR12W3M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
F411MR12W3M1HB11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - F411MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 50Pin(s) Produktpalette: EasyPACK Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| F411MR12W3M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: F411MR12W3M1HB11BPSA1Packaging: Tray |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
|
F411MR12W3M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 50-Pin Tray |
товару немає в наявності |


