F413MXTR12C1M2H11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: F413MXTR12C1M2H11BPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 20mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 50A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 22mA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 8599.45 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F413MXTR12C1M2H11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F413MXTR12C1M2H11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.0125 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm.
Інші пропозиції F413MXTR12C1M2H11BPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
F413MXTR12C1M2H11BPSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET Modules EasyPACK 1C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 13 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
F413MXTR12C1M2H11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - F413MXTR12C1M2H11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.0125 ohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: EasyPACK Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| F413MXTR12C1M2H11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Modules EasyPACK 1C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 13 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
MOSFET Modules EasyPACK 1C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 13 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| F413MXTR12C1M2H11BPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F413MXTR12C1M2H11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.0125 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
Description: INFINEON - F413MXTR12C1M2H11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.0125 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)