F4150R12KS4BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 180A 960W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 960 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 150A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F4150R12KS4BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F4150R12KS4BOSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 180 A, 3.2 V, 960 W, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V, Dauer-Kollektorstrom: 180A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V, Verlustleistung Pd: 960W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 960W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Viererpack, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 180A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції F4150R12KS4BOSA1 за ціною від 11118.49 грн до 23240.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
F4150R12KS4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 960W Technology: EconoPACK™ 3 Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 300A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: transistor/transistor Case: AG-ECONO3-4 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||
 |
F4150R12KS4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
F4150R12KS4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
F4150R12KS4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
F4150R12KS4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
F4150R12KS4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
F4150R12KS4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
F4150R12KS4BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - F4150R12KS4BOSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 180 A, 3.2 V, 960 W, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V Dauer-Kollektorstrom: 180A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V Verlustleistung Pd: 960W euEccn: NLR Verlustleistung: 960W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPACK 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 180A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| F4150R12KS4BOSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 960W
Technology: EconoPACK™ 3
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-ECONO3-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 960W
Technology: EconoPACK™ 3
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-ECONO3-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 13339.89 грн |
| 3+ | 11118.49 грн |
| F4150R12KS4BOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 14022.05 грн |
| F4150R12KS4BOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 14022.05 грн |
| F4150R12KS4BOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 14022.05 грн |
| F4150R12KS4BOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 14022.05 грн |
| F4150R12KS4BOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 23240.60 грн |
| F4150R12KS4BOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 23240.60 грн |
| F4150R12KS4BOSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F4150R12KS4BOSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 180 A, 3.2 V, 960 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
Dauer-Kollektorstrom: 180A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V
Verlustleistung Pd: 960W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 180A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - F4150R12KS4BOSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 180 A, 3.2 V, 960 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
Dauer-Kollektorstrom: 180A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V
Verlustleistung Pd: 960W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 180A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)