F4150R12KS4BOSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - F4150R12KS4BOSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 180 A, 3.2 V, 960 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
Dauer-Kollektorstrom: 180A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V
Verlustleistung Pd: 960W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 180A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 15687.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F4150R12KS4BOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - F4150R12KS4BOSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 180 A, 3.2 V, 960 W, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V, Dauer-Kollektorstrom: 180A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V, Verlustleistung Pd: 960W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 960W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Viererpack, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 180A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції F4150R12KS4BOSA1 за ціною від 20378.36 грн до 27069.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
F4150R12KS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
F4150R12KS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 180A 960W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 180 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 960 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10 nF @ 25 V |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
F4150R12KS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
F4150R12KS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
F4150R12KS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
F4150R12KS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960000mW 26-Pin ECONO3-4 Tray |
товар відсутній |
|||||
| F4150R12KS4BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W Case: AG-ECONO3-4 Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 300A Collector current: 150A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: EconoPACK™ 3 Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Power dissipation: 960W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
 |
F4150R12KS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
товар відсутній |
|||||
| F4150R12KS4BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W Case: AG-ECONO3-4 Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 300A Collector current: 150A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: EconoPACK™ 3 Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Power dissipation: 960W |
товар відсутній |