
F4150R12KS4BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 180A 960W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 960 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 8720.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F4150R12KS4BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F4150R12KS4BOSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 180 A, 3.2 V, 960 W, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V, Dauer-Kollektorstrom: 180A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V, Verlustleistung Pd: 960W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 960W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Viererpack, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 180A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції F4150R12KS4BOSA1 за ціною від 12096.23 грн до 20048.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
F4150R12KS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
F4150R12KS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
F4150R12KS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
F4150R12KS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
F4150R12KS4BOSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V Dauer-Kollektorstrom: 180A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V Verlustleistung Pd: 960W euEccn: NLR Verlustleistung: 960W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPACK 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 180A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
F4150R12KS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
F4150R12KS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
F4150R12KS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
F4150R12KS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
F4150R12KS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
F4150R12KS4BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Power dissipation: 960W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoPACK™ 3 Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor Case: AG-ECONO3-4 Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
![]() |
F4150R12KS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
F4150R12KS4BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Power dissipation: 960W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoPACK™ 3 Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor Case: AG-ECONO3-4 Max. off-state voltage: 1.2kV |
товару немає в наявності |