F417MR12W1M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 50A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 20mA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F417MR12W1M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 50A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 20mA.
Інші пропозиції F417MR12W1M1HPB76BPSA1 за ціною від 8615.79 грн до 11088.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| F417MR12W1M1HPB76BPSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET EASY STANDARD |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| F417MR12W1M1HPB76BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET EASY STANDARD
MOSFET EASY STANDARD
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11088.67 грн |
| 10+ | 10236.43 грн |
| 30+ | 8615.79 грн |