F417MR12W1M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9762.99 грн |
| 10+ | 8143.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F417MR12W1M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F417MR12W1M1HPB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 45 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції F417MR12W1M1HPB76BPSA1 за ціною від 8992.97 грн до 11574.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
F417MR12W1M1HPB76BPSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - F417MR12W1M1HPB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 45 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, 18 V, 5.15 VtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| F417MR12W1M1HPB76BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET EASY STANDARD |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|