Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > F423MR12W1M1B11BOMA1
F423MR12W1M1B11BOMA1

F423MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies

Infineon-F4-23MR12W1M1_B11-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690e9d9fb63802
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.68 nF @ 800 V
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2
NTC Thermistor: Yes
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+11160.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис F423MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies

Description: LOW POWER EASY, Packaging: Tray, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.68 nF @ 800 V, Power - Max: 20 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, IGBT Type: Trench, Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2, NTC Thermistor: Yes, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: Full Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module.

Інші пропозиції F423MR12W1M1B11BOMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
F423MR12W1M1B11BOMA1 F423MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies Infineon_F4_23MR12W1M1_B11_DS_v02_00_JA-3162080.pdf Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F423MR12W1M1B11BOMA1 Infineon_F4_23MR12W1M1_B11_DS_v02_00_JA-3162080.pdf
F423MR12W1M1B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.