F423MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11242.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F423MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2, IGBT Type: Trench, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.68 nF @ 800 V.
Інші пропозиції F423MR12W1M1B11BOMA1 за ціною від 11434.16 грн до 13553.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
F423MR12W1M1B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: LOW POWER EASYPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2 IGBT Type: Trench Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.68 nF @ 800 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
F423MR12W1M1B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin Tray |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
F423MR12W1M1B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A Tray |
товару немає в наявності |