F423MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.68 nF @ 800 V
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2
NTC Thermistor: Yes
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F423MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY, Packaging: Tray, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.68 nF @ 800 V, Power - Max: 20 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, IGBT Type: Trench, Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2, NTC Thermistor: Yes, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: Full Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module.
Інші пропозиції F423MR12W1M1B11BOMA1 за ціною від 15748.79 грн до 15748.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
F423MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin Tray |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
F423MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| F423MR12W1M1B11BOMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 15748.79 грн |
| F423MR12W1M1B11BOMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)