F433MR12W1M1HB76BPSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6816.73 грн |
| 24+ | 5992.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F433MR12W1M1HB76BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F433MR12W1M1HB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції F433MR12W1M1HB76BPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
F433MR12W1M1HB76BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - F433MR12W1M1HB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| F433MR12W1M1HB76BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs EASY STANDARD |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| F433MR12W1M1HB76BPSA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F433MR12W1M1HB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - F433MR12W1M1HB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| F433MR12W1M1HB76BPSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs EASY STANDARD
MOSFETs EASY STANDARD
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)