F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesIGBT Modules Automotive grade Easy modules for On Board Charger (OBC) and EV aux applications
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4633.18 грн |
| 10+ | 3963.63 грн |
| 120+ | 3376.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.0394 ohm, 10 V, 4.45 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.45V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0394ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 за ціною від 4079.40 грн до 5347.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6950pF @ 400V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.4mOhm @ 35A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.45V @ 1.74mA Supplier Device Package: Module |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.0394 ohm, 10 V, 4.45 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.45V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyPACK CoolMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0394ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
EV AUXILIARIES |
товару немає в наявності |