F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6950pF @ 400V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.4mOhm @ 35A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.45V @ 1.74mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4338.62 грн |
| 24+ | 3749.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6950pF @ 400V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.4mOhm @ 35A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.45V @ 1.74mA, Supplier Device Package: Module.
Інші пропозиції F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 за ціною від 4351.35 грн до 4351.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules Automotive grade Easy modules for On Board Charger (OBC) and EV aux applications |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
| F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
EV AUXILIARIES |
товару немає в наявності |