Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > F435MR07W1D7S8B11ABPSA1
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1

F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 Infineon Technologies

F4-35MR07W1D7S8_B11_A_Rev1.10_8-22-23.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.45V @ 1.74mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.4mOhm @ 35A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6950pF @ 400V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4206.58 грн
24+3634.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.0394 ohm, 10 V, 4.45 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.45V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0394ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції F435MR07W1D7S8B11ABPSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 Infineon Technologies Infineon_03-11-2024_F4-35MR07W1D7S8_B11_A_Rev1.10_8-22-23.pdf IGBT Modules Automotive grade Easy modules for On Board Charger (OBC) and EV aux applications
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 INFINEON 4406517.pdf Description: INFINEON - F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.0394 ohm, 10 V, 4.45 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0394ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 Infineon_03-11-2024_F4-35MR07W1D7S8_B11_A_Rev1.10_8-22-23.pdf
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules Automotive grade Easy modules for On Board Charger (OBC) and EV aux applications
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 4406517.pdf
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.0394 ohm, 10 V, 4.45 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0394ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.