F43L50R07W2H3FB11BPSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 650V 50A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4225.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F43L50R07W2H3FB11BPSA2 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 50A 20MW, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V.
Інші пропозиції F43L50R07W2H3FB11BPSA2 за ціною від 4997.92 грн до 8559.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
F43L50R07W2H3FB11BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 650V 50A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
F43L50R07W2H3FB11BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules 650 V, 50 A 3-level IGBT module |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
 |
F43L50R07W2H3FB11BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
EasyPACK Module With Trench/Fieldstop High-Speed 3 IGBT and SiC Diode and PressFIT / NTC |
товару немає в наявності |