Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > F43L50R07W2H3FB11BPSA2
F43L50R07W2H3FB11BPSA2

F43L50R07W2H3FB11BPSA2 Infineon Technologies


Infineon-F4-3L50R07W2H3F_B11-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bfb712d9c6e9e Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 50A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+6341.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис F43L50R07W2H3FB11BPSA2 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 650V 50A 20MW, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V.

Інші пропозиції F43L50R07W2H3FB11BPSA2 за ціною від 5313.5 грн до 6872.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
F43L50R07W2H3FB11BPSA2 F43L50R07W2H3FB11BPSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_F4_3L50R07W2H3F_B11_DataSheet_v03_01_EN-1827263.pdf IGBT Modules EASY STANDARD
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+6867.24 грн
10+ 6409.96 грн
30+ 5573.21 грн
60+ 5313.5 грн
F43L50R07W2H3FB11BPSA2 F43L50R07W2H3FB11BPSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-F4-3L50R07W2H3F_B11-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bfb712d9c6e9e Description: IGBT MOD 650V 50A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+6872.98 грн
F43L50R07W2H3FB11BPSA2 F43L50R07W2H3FB11BPSA2 Виробник : Infineon Technologies 162infineon-f4-3l50r07w2h3f_b11-ds-v03_01-en.pdffileid5546d4625bd71a.pdf EasyPACK Module With Trench/Fieldstop High-Speed 3 IGBT and SiC Diode and PressFIT / NTC
товар відсутній