F43L50R07W2H3FB11BPSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 50A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F43L50R07W2H3FB11BPSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F43L50R07W2H3FB11BPSA2 - IGBT-Modul, 8er-Pack, 50 A, 1.45 V, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45, Dauer-Kollektorstrom: 50, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45, Verlustleistung Pd: -, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650, Produktpalette: EasyPACK CoolSiC, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650, IGBT-Konfiguration: 8er-Pack, DC-Kollektorstrom: 50, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції F43L50R07W2H3FB11BPSA2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
F43L50R07W2H3FB11BPSA2 | Infineon Technologies |
IGBT Modules 650 V, 50 A 3-level IGBT module |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
F43L50R07W2H3FB11BPSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - F43L50R07W2H3FB11BPSA2 - IGBT-Modul, 8er-Pack, 50 A, 1.45 V, 150 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45 Dauer-Kollektorstrom: 50 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45 Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Produktpalette: EasyPACK CoolSiC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 IGBT-Konfiguration: 8er-Pack DC-Kollektorstrom: 50 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| F43L50R07W2H3FB11BPSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 650 V, 50 A 3-level IGBT module
IGBT Modules 650 V, 50 A 3-level IGBT module
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| F43L50R07W2H3FB11BPSA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F43L50R07W2H3FB11BPSA2 - IGBT-Modul, 8er-Pack, 50 A, 1.45 V, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
Dauer-Kollektorstrom: 50
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
IGBT-Konfiguration: 8er-Pack
DC-Kollektorstrom: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - F43L50R07W2H3FB11BPSA2 - IGBT-Modul, 8er-Pack, 50 A, 1.45 V, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
Dauer-Kollektorstrom: 50
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
IGBT-Konfiguration: 8er-Pack
DC-Kollektorstrom: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)