на замовлення 24 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3530.23 грн |
10+ | 3103.37 грн |
24+ | 2696.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F450R07W1H3B11ABOMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULES, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 200 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.25 nF @ 25 V.
Інші пропозиції F450R07W1H3B11ABOMA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
F450R07W1H3B11ABOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
F450R07W1H3B11ABOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 200 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.25 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |