Продукція > INFINEON > F46MR20W3M1HB11BPSA1
F46MR20W3M1HB11BPSA1

F46MR20W3M1HB11BPSA1 INFINEON


Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F46MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 135 A, 2 kV, 0.0081 ohm, Modul
tariffCode: 85423990
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+65587.83 грн
5+61935.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис F46MR20W3M1HB11BPSA1 INFINEON

Description: INFINEON - F46MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 135 A, 2 kV, 0.0081 ohm, Modul, tariffCode: 85423990, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 50Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції F46MR20W3M1HB11BPSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
F46MR20W3M1HB11BPSA1 F46MR20W3M1HB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_DS_F4_6MR20W3M1H_B11_v1_00_en-3556296.pdf MOSFET Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.