F46MR20W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
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Технічний опис F46MR20W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F46MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 135 A, 2 kV, 8100 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 50Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm.
Інші пропозиції F46MR20W3M1HB11BPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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F46MR20W3M1HB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - F46MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 135 A, 2 kV, 8100 µohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: - Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 50Pin(s) Produktpalette: EasyPACK Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| F46MR20W3M1HB11BPSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F46MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 135 A, 2 kV, 8100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
Description: INFINEON - F46MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 135 A, 2 kV, 8100 µohm, Modul
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)