F46MR20W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesMOSFET Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 43304.62 грн |
| 8+ | 38003.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F46MR20W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F46MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 135 A, 2 kV, 8100 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 50Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції F46MR20W3M1HB11BPSA1 за ціною від 51457.70 грн до 51457.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
F46MR20W3M1HB11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - F46MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 135 A, 2 kV, 8100 µohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 50Pin(s) Produktpalette: EasyPACK Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|