Продукція > Транзистори > IGBT > F475R12KS4BOSA1

F475R12KS4BOSA1

Infineon-F4_75R12KS4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43166255432

Код товару: 162573

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції F475R12KS4BOSA1

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	F475R12KS4BOSA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 500W 24-Pin ECONO2-6 Tray	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	F475R12KS4BOSA1	Виробник : INFINEON	Description: INFINEON - F475R12KS4BOSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 100 A, 3.2 V, 500 W, 125 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2 Dauer-Kollektorstrom: 100 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2 Verlustleistung Pd: 500 Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: EconoPACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Viererpack Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	F475R12KS4BOSA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; Ic: 75A Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 500W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoPACK™ 2 Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor Case: AG-ECONO2-6 Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 10 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	F475R12KS4BOSA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: IGBT MOD 1200V 100A 500W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 500 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	F475R12KS4BOSA1	Виробник : Infineon Technologies	IGBT Modules LOW POWER ECONO	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	F475R12KS4BOSA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; Ic: 75A Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 500W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoPACK™ 2 Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor Case: AG-ECONO2-6 Max. off-state voltage: 1.2kV	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.