F48MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 20mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 40mA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F48MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 20mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 40mA.
Інші пропозиції F48MR12W2M1HB70BPSA1 за ціною від 11573.02 грн до 12951.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| F48MR12W2M1HB70BPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| F48MR12W2M1HB70BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12951.99 грн |
| 10+ | 11573.02 грн |