Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > F48MR12W2M1HPB76BPSA1

F48MR12W2M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies


Infineon-F4-8MR12W2M1HP_B76-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018b7743b4cc6fa2
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+12805.75 грн
18+10398.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис F48MR12W2M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - F48MR12W2M1HPB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 8100 µohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, Verlustleistung: 20mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm.

Інші пропозиції F48MR12W2M1HPB76BPSA1 за ціною від 17752.04 грн до 22846.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
F48MR12W2M1HPB76BPSA1 F48MR12W2M1HPB76BPSA1 INFINEON 4130645.pdf Description: INFINEON - F48MR12W2M1HPB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 8100 µohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F48MR12W2M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies Infineon-F4-8MR12W2M1HP_B76-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018b7743b4cc6fa2 IGBT Modules EASY STANDARD
на замовлення 25 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+22846.94 грн
10+21091.71 грн
18+17752.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F48MR12W2M1HPB76BPSA1 4130645.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F48MR12W2M1HPB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 8100 µohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F48MR12W2M1HPB76BPSA1 Infineon-F4-8MR12W2M1HP_B76-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018b7743b4cc6fa2
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules EASY STANDARD
на замовлення 25 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+22846.94 грн
10+21091.71 грн
18+17752.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.