на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 15773.32 грн |
| 10+ | 13251.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F48MXTR12C2M2QH11BPSA1 Infineon Technologies
Description: F48MXTR12C2M2QH11BPSA1, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7210pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 237nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 33mA.
Інші пропозиції F48MXTR12C2M2QH11BPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
F48MXTR12C2M2QH11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: F48MXTR12C2M2QH11BPSA1Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7210pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 237nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 33mA |
товару немає в наявності |