FAM65CR51ADZ2 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET IPM 650V 41A 12-SSIP
Packaging: Tube
Package / Case: 12-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Grade: Automotive
Current: 41 A
Voltage: 650 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2533.18 грн |
| 12+ | 1771.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FAM65CR51ADZ2 onsemi
Description: ONSEMI - FAM65CR51ADZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.044 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 166W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 166W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, usEccn: EAR99, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm.
Інші пропозиції FAM65CR51ADZ2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FAM65CR51ADZ2 | onsemi |
MOSFET Modules APM16-CDB SF3 650V 51MOHM SIC DIODE AL2O3 L-FORMING PFC |
на замовлення 139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FAM65CR51ADZ2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAM65CR51ADZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.044 ohm, 10 V, 5 V tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 166W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 166W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal usEccn: EAR99 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FAM65CR51ADZ2 |
|
Виробник: onsemi
MOSFET Modules APM16-CDB SF3 650V 51MOHM SIC DIODE AL2O3 L-FORMING PFC
MOSFET Modules APM16-CDB SF3 650V 51MOHM SIC DIODE AL2O3 L-FORMING PFC
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FAM65CR51ADZ2 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAM65CR51ADZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.044 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 166W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 166W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
Description: ONSEMI - FAM65CR51ADZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.044 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 166W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 166W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)