на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2534.69 грн |
| 12+ | 1757.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FAM65CR51DZ2 onsemi
Description: POWER MODULE, Packaging: Tube, Package / Case: 12-SSIP Exposed Pad, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: APMCD-B16, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 33 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 160 W, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.86 nF @ 400 V, Type: MOSFET, Voltage - Isolation: 5000Vrms, Current: 33 A, Voltage: 650 V.
Інші пропозиції FAM65CR51DZ2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FAM65CR51DZ2 | Виробник : ON Semiconductor |
 |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
FAM65CR51DZ2 | Виробник : onsemi |
Description: POWER MODULE Packaging: Tube Package / Case: 12-SSIP Exposed Pad, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) NTC Thermistor: No Supplier Device Package: APMCD-B16 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 33 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 160 W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.86 nF @ 400 V Type: MOSFET Voltage - Isolation: 5000Vrms Current: 33 A Voltage: 650 V |
товару немає в наявності |