на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2432.47 грн |
| 12+ | 2395.98 грн |
| 60+ | 2038.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FAM65HR51DS2 onsemi
Description: IGBT MODULE 650V 33A 135W, Packaging: Tube, Mounting Type: Through Hole, Input: Standard, Configuration: Half Bridge Inverter, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), NTC Thermistor: No, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 33 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 135 W, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.86 nF @ 400 V.
Інші пропозиції FAM65HR51DS2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FAM65HR51DS2 | Виробник : ON Semiconductor |
 |
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FAM65HR51DS2 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT MODULE 650V 33A 135W Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) NTC Thermistor: No Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 33 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 135 W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.86 nF @ 400 V |
товару немає в наявності |