| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2133.61 грн |
| 10+ | 1795.77 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FB30R06W1E3 Infineon Technologies
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W, Type of semiconductor module: IGBT, Power dissipation: 115W, Technology: EasyPIM™ 1B, Mechanical mounting: screw, Pulsed collector current: 60A, Max. off-state voltage: 0.6kV, Electrical mounting: Press-in PCB, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: AG-EASY1B-1, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 30A, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge.
Інші пропозиції FB30R06W1E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FB30R06W1E3BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 115W Technology: EasyPIM™ 1B Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 60A Max. off-state voltage: 0.6kV Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: diode/transistor Case: AG-EASY1B-1 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| FB30R06W1E3BOMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 115W
Technology: EasyPIM™ 1B
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 60A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: AG-EASY1B-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 115W
Technology: EasyPIM™ 1B
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 60A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: AG-EASY1B-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.