FB30R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies


Infineon-FB30R06W1E3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043163797a60116387fb7fa011e
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 600V 39A 115W MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 115 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1959.78 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 11 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FB30R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FB30R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 39 A, 1.55 V, 115 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: 115W, Verlustleistung: 115W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Dauerkollektorstrom: 39A, Produktpalette: EasyPIM, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: PIM, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 39A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FB30R06W1E3BOMA1 за ціною від 2243.32 грн до 2243.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FB30R06W1E3BOMA1 FB30R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FB30R06W1E3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043163797a60116387fb7fa011e Description: IGBT MODULE 600V 39A 115W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 115 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2243.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FB30R06W1E3BOMA1 FB30R06W1E3BOMA1 INFINEON INFNS28291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FB30R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 39 A, 1.55 V, 115 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 115W
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 39A
Produktpalette: EasyPIM
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 39A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FB30R06W1E3BOMA1 Infineon-FB30R06W1E3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043163797a60116387fb7fa011e
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 600V 39A 115W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 115 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2243.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FB30R06W1E3BOMA1 INFNS28291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FB30R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 39 A, 1.55 V, 115 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 115W
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 39A
Produktpalette: EasyPIM
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 39A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.