FB30R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 600V 39A 115W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 115 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2387.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FB30R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FB30R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 39 A, 1.55 V, 115 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 39A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: 115W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Produktpalette: EasyPIM, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: PIM, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 39A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FB30R06W1E3BOMA1 за ціною від 1989.31 грн до 2529.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FB30R06W1E3BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 600V 39A 115W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 39 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 115 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FB30R06W1E3BOMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FB30R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 39 A, 1.55 V, 115 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Dauer-Kollektorstrom: 39A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: 115W euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Produktpalette: EasyPIM Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: PIM productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 39A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FB30R06W1E3BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Power Module |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FB30R06W1E3BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Power Module |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
FB30R06W1E3BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Power Module |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FB30R06W1E3BOMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 60A Power dissipation: 115W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EasyPIM™ 1B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge Case: AG-EASY1B-1 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FB30R06W1E3BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER EASY |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
FB30R06W1E3BOMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 60A Power dissipation: 115W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EasyPIM™ 1B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge Case: AG-EASY1B-1 |
товару немає в наявності |