FB50R07W2E3B23BOMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Fast Trench/Fieldstop IGBT3 and emitter controlled 3 diode and PressFIT / NTC
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FB50R07W2E3B23BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FB50R07W2E3B23BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 45 A, 1.45 V, 20 mW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Verlustleistung: 20mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 45A, Produktpalette: EasyPIM Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: PIM, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FB50R07W2E3B23BOMA1 за ціною від 1700.97 грн до 3453.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FB50R07W2E3B23BOMA1 | Infineon Technologies |
Fast Trench/Fieldstop IGBT3 and emitter controlled 3 diode and PressFIT / NTC |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FB50R07W2E3B23BOMA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 650V 50A NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Three Phase Inverter Input: Single Phase Bridge Rectifier Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3100 pF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 18 µA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 A IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Packaging: Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FB50R07W2E3B23BOMA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules 650 V, 50 A PIM IGBT module |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
 |
FB50R07W2E3B23BOMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FB50R07W2E3B23BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 45 A, 1.45 V, 20 mW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 45A Produktpalette: EasyPIM Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FB50R07W2E3B23BOMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Fast Trench/Fieldstop IGBT3 and emitter controlled 3 diode and PressFIT / NTC
Fast Trench/Fieldstop IGBT3 and emitter controlled 3 diode and PressFIT / NTC
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1771.53 грн |
| 10+ | 1700.97 грн |
| FB50R07W2E3B23BOMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 50A
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Single Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3100 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 18 µA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Packaging: Tray
Description: IGBT MODULE 650V 50A
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Single Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3100 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 18 µA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Packaging: Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3453.43 грн |
| FB50R07W2E3B23BOMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 650 V, 50 A PIM IGBT module
IGBT Modules 650 V, 50 A PIM IGBT module
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FB50R07W2E3B23BOMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FB50R07W2E3B23BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 45 A, 1.45 V, 20 mW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 45A
Produktpalette: EasyPIM Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - FB50R07W2E3B23BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 45 A, 1.45 V, 20 mW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 45A
Produktpalette: EasyPIM Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)