FB50R07W2E3B23BOMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesFast Trench/Fieldstop IGBT3 and emitter controlled 3 diode and PressFIT / NTC
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 3194.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FB50R07W2E3B23BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FB50R07W2E3B23BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 45 A, 1.45 V, 20 mW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 45A, Produktpalette: EasyPIM Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: PIM, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FB50R07W2E3B23BOMA1 за ціною від 2344.11 грн до 3705.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FB50R07W2E3B23BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Fast Trench/Fieldstop IGBT3 and emitter controlled 3 diode and PressFIT / NTC |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FB50R07W2E3B23BOMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FB50R07W2E3B23BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 45 A, 1.45 V, 20 mW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 45A Produktpalette: EasyPIM Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FB50R07W2E3B23BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 650V 50A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Single Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Cutoff (Max): 18 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3100 pF @ 25 V |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FB50R07W2E3B23BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules 650 V, 50 A PIM IGBT module |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FB50R07W2E3B23BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Fast Trench/Fieldstop IGBT3 and emitter controlled 3 diode and PressFIT / NTC |
товару немає в наявності |
|||||||||
| FB50R07W2E3B23BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005341840 |
товару немає в наявності |