FCA16N60N ON Semiconductor
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 93+ | 336.25 грн |
| 100+ | 319.75 грн |
| 500+ | 302.21 грн |
| 1000+ | 275.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCA16N60N ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V TO-3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 134.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCA16N60N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FCA16N60N | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
FCA16N60N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V TO-3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 134.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
 |
FCA16N60N | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SupreMOS 16A |
товару немає в наявності |