FCA20N60-F109 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 509.85 грн |
| 30+ | 283.23 грн |
| 120+ | 237.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCA20N60-F109 onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FCA20N60-F109 за ціною від 218.50 грн до 530.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCA20N60-F109 | onsemi |
MOSFETs 600V N-CH MOSFET |
на замовлення 377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FCA20N60-F109 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-CH MOSFET
MOSFETs 600V N-CH MOSFET
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 530.38 грн |
| 10+ | 301.52 грн |
| 120+ | 219.91 грн |
| 510+ | 218.50 грн |