Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FCA20N60
FCA20N60

FCA20N60 onsemi / Fairchild

FCA20N60_D-3538078.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.19 грн
10+383.17 грн
25+255.40 грн
100+217.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCA20N60 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCA20N60 за ціною від 227.35 грн до 489.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCA20N60 FCA20N60 Виробник : onsemi fca20n60_f109-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+489.04 грн
30+271.29 грн
120+227.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60 Виробник : FAIRCHILD fca20n60_f109-d.pdf 05+06+
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60 Виробник : FAIRCHILD fca20n60_f109-d.pdf TO-3P 0721+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60 Виробник : ON Semiconductor fca20n60_f109-d.pdf
на замовлення 13470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60 FCA20N60 Виробник : ON Semiconductor fch20n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60 FCA20N60 Виробник : ON Semiconductor fch20n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60 FCA20N60 Виробник : ONSEMI fca20n60_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 208W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60 FCA20N60 Виробник : ONSEMI fca20n60_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 208W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.