Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FCA22N60N
FCA22N60N

FCA22N60N Fairchild Semiconductor

FAIRS47406-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+353.56 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCA22N60N Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 205W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FCA22N60N за ціною від 286.92 грн до 590.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCA22N60N FCA22N60N Виробник : onsemi / Fairchild FCA22N60N_D-2311578.pdf MOSFETs 600V N-Channel SupreMOS
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+590.51 грн
10+499.16 грн
25+393.59 грн
100+361.22 грн
250+339.88 грн
450+317.81 грн
900+286.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA22N60N FCA22N60N Виробник : ON Semiconductor fca22n60n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA22N60N FCA22N60N Виробник : onsemi fca22n60n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.