Продукція > ONSEMI > FCA47N60-F109
FCA47N60-F109

FCA47N60-F109 onsemi

FCA47N60-F109-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+824.78 грн
30+481.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCA47N60-F109 onsemi

Description: ONSEMI - FCA47N60-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.07 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FCA47N60-F109 за ціною від 427.03 грн до 985.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109 onsemi FCA47N60-F109-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+856.63 грн
30+498.51 грн
120+427.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109 onsemi FCA47N60-F109-D.PDF MOSFETs 650V SUPER FET
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+891.58 грн
10+531.11 грн
120+434.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109 ONSEMI ONSM-S-A0013185538-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCA47N60-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.07 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+985.00 грн
5+790.90 грн
10+595.99 грн
50+526.50 грн
100+460.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109-D.PDF
FCA47N60-F109
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+856.63 грн
30+498.51 грн
120+427.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109-D.PDF
FCA47N60-F109
Виробник: onsemi
MOSFETs 650V SUPER FET
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+891.58 грн
10+531.11 грн
120+434.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 ONSM-S-A0013185538-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCA47N60-F109
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCA47N60-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.07 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+985.00 грн
5+790.90 грн
10+595.99 грн
50+526.50 грн
100+460.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.