FCA47N60-F109 ON Semiconductor
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 570.69 грн |
| 10+ | 543.13 грн |
| 25+ | 506.14 грн |
| 100+ | 459.64 грн |
| 250+ | 418.69 грн |
| 450+ | 376.60 грн |
| 900+ | 364.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCA47N60-F109 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCA47N60-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.058 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FCA47N60-F109 за ціною від 409.63 грн до 923.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCA47N60-F109 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PNPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
на замовлення 452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FCA47N60-F109 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FCA47N60-F109 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 650V SUPER FET |
на замовлення 721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FCA47N60-F109 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FCA47N60-F109 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCA47N60-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.058 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FCA47N60-F109 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
FCA47N60-F109 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FCA47N60-F109 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FCA47N60-F109 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29.7A Pulsed drain current: 141A Power dissipation: 417W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperFET® кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FCA47N60-F109 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29.7A Pulsed drain current: 141A Power dissipation: 417W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperFET® |
товару немає в наявності |