FCA76N60N

FCA76N60N onsemi


fca76n60n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO3PN
Supplier Device Package: TO-3PN
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12385 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 1348 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1398.83 грн
30+892.28 грн
120+877.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCA76N60N onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO3PN, Supplier Device Package: TO-3PN, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 543W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 38A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12385 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V.

Інші пропозиції FCA76N60N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCA76N60N FCA76N60N Виробник : onsemi fca76n60n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12385 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA76N60N FCA76N60N Виробник : onsemi / Fairchild FCA76N60N-D.PDF MOSFETs SUPREMOS 76A IN TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.