Продукція > ONSEMI > FCB070N65S3
FCB070N65S3
  • FCB070N65S3
  • FCB070N65S3

FCB070N65S3 ONSEMI


fcb070n65s3-d.pdf Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 312W
на замовлення 657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+437.69 грн
3+309.55 грн
9+293.00 грн
25+282.77 грн
100+281.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCB070N65S3 ONSEMI

Description: ONSEMI - FCB070N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FCB070N65S3 за ціною від 235.16 грн до 631.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCB070N65S3
+1
FCB070N65S3 Виробник : ONSEMI fcb070n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 312W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+525.23 грн
3+385.74 грн
9+351.61 грн
25+339.32 грн
100+338.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 FCB070N65S3 Виробник : onsemi fcb070n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+249.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 FCB070N65S3 Виробник : ONSEMI 2304460.pdf Description: ONSEMI - FCB070N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+351.17 грн
100+323.18 грн
500+274.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 FCB070N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcb070n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+432.27 грн
37+334.80 грн
100+303.53 грн
250+263.09 грн
500+235.40 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 FCB070N65S3 Виробник : onsemi fcb070n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.41 грн
10+337.51 грн
100+262.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 FCB070N65S3 Виробник : ONSEMI 2304460.pdf Description: ONSEMI - FCB070N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+474.16 грн
10+351.17 грн
100+323.18 грн
500+274.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 FCB070N65S3 Виробник : onsemi / Fairchild FCB070N65S3-D.PDF MOSFETs SuperFET3 650V 70mOhm
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+482.54 грн
10+366.09 грн
100+252.55 грн
500+235.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 FCB070N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcb070n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+631.20 грн
10+427.76 грн
100+342.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 FCB070N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcb070n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 FCB070N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcb070n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.