Продукція > ONSEMI > FCB070N65S3
FCB070N65S3
FCB070N65S3
FCB070N65S3FCB070N65S3

FCB070N65S3 ONSEMI

fcb070n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 312W
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+475.02 грн
10+298.48 грн
100+297.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCB070N65S3 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 312W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCB070N65S3 за ціною від 211.20 грн до 518.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FCB070N65S3 FCB070N65S3 onsemi fcb070n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+211.20 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 FCB070N65S3 onsemi fcb070n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+502.92 грн
10+327.96 грн
100+248.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 FCB070N65S3 onsemi fcb070n65s3-d.pdf MOSFETs SuperFET3 650V 70mOhm
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+518.33 грн
10+347.74 грн
100+230.06 грн
500+227.31 грн
800+214.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 fcb070n65s3-d.pdf
FCB070N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+211.20 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 fcb070n65s3-d.pdf
FCB070N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+502.92 грн
10+327.96 грн
100+248.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 fcb070n65s3-d.pdf
FCB070N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SuperFET3 650V 70mOhm
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+518.33 грн
10+347.74 грн
100+230.06 грн
500+227.31 грн
800+214.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.