FCB070N65S3 ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 312W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 480.83 грн |
| 10+ | 302.14 грн |
| 100+ | 301.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCB070N65S3 ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB070N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FCB070N65S3 за ціною від 213.79 грн до 672.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCB070N65S3 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FCB070N65S3 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCB070N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FCB070N65S3 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCB070N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FCB070N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FCB070N65S3 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FCB070N65S3 | Виробник : onsemi |
MOSFETs SuperFET3 650V 70mOhm |
на замовлення 1072 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FCB070N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FCB070N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |