
FCB099N65S3 onsemi

MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 30 A, 99 mohm, D2PAK Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 30 A, 99 mohm, D2PAK
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 462.36 грн |
10+ | 346.88 грн |
100+ | 219.44 грн |
500+ | 198.16 грн |
800+ | 193.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCB099N65S3 onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V.
Інші пропозиції FCB099N65S3 за ціною від 233.57 грн до 496.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCB099N65S3 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
FCB099N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
![]() |
FCB099N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
FCB099N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
FCB099N65S3 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
![]() |
FCB099N65S3 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |