Продукція > ONSEMI > FCB110N65F
FCB110N65F

FCB110N65F onsemi


fcb110n65f-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+219.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCB110N65F onsemi

Description: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 357W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FCB110N65F за ціною від 211.70 грн до 463.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCB110N65F FCB110N65F Виробник : ONSEMI 2859334.pdf Description: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+266.75 грн
500+238.52 грн
1000+211.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F FCB110N65F Виробник : ON Semiconductor fcb110n65f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+400.40 грн
10+351.65 грн
25+254.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F FCB110N65F Виробник : onsemi fcb110n65f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
на замовлення 3306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+419.97 грн
10+300.29 грн
100+258.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F FCB110N65F Виробник : ON Semiconductor fcb110n65f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+431.20 грн
33+378.70 грн
45+274.10 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F FCB110N65F Виробник : onsemi / Fairchild fcb110n65f-d.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK
на замовлення 3809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+431.54 грн
10+331.69 грн
25+282.56 грн
100+245.13 грн
500+239.25 грн
800+228.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F FCB110N65F Виробник : ONSEMI 2859334.pdf Description: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+463.52 грн
10+344.14 грн
100+266.75 грн
500+238.52 грн
1000+211.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F FCB110N65F Виробник : ON Semiconductor 3658229863653838fcb110n65f.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F FCB110N65F Виробник : ON Semiconductor fcb110n65f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F Виробник : ONSEMI fcb110n65f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 35A; Idm: 105A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 105A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F Виробник : ONSEMI fcb110n65f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 35A; Idm: 105A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 105A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.