Продукція > ONSEMI > FCB110N65F
FCB110N65F

FCB110N65F onsemi


fcb110n65f-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+230.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCB110N65F onsemi

Description: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 357W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FCB110N65F за ціною від 201.61 грн до 471.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCB110N65F FCB110N65F Виробник : ONSEMI 2859334.pdf Description: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+261.62 грн
500+230.67 грн
1000+201.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F FCB110N65F Виробник : ON Semiconductor fcb110n65f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+401.37 грн
10+352.50 грн
25+255.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F FCB110N65F Виробник : ONSEMI 2859334.pdf Description: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+426.67 грн
10+322.69 грн
100+261.62 грн
500+230.67 грн
1000+201.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F FCB110N65F Виробник : ON Semiconductor fcb110n65f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+432.24 грн
33+379.61 грн
45+274.77 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F FCB110N65F Виробник : onsemi fcb110n65f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
на замовлення 4106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+441.67 грн
10+315.81 грн
100+244.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F FCB110N65F Виробник : onsemi / Fairchild fcb110n65f-d.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK
на замовлення 5814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+471.20 грн
10+345.18 грн
25+284.71 грн
100+231.74 грн
800+228.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F FCB110N65F Виробник : ON Semiconductor 3658229863653838fcb110n65f.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F FCB110N65F Виробник : ON Semiconductor fcb110n65f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F Виробник : ONSEMI fcb110n65f-d.pdf FCB110N65F SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.