Продукція > ONSEMI > FCB125N65S3
FCB125N65S3

FCB125N65S3 onsemi

fcb125n65s3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+319.84 грн
10+ 258.54 грн
100+ 209.12 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCB125N65S3 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 181W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCB125N65S3 за ціною від 156.49 грн до 355.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCB125N65S3 FCB125N65S3 Виробник : onsemi FCB125N65S3_D-2311543.pdf MOSFET SF3 650V EASY 125MOHM, D2PAK
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+355.83 грн
10+ 294.84 грн
25+ 225.75 грн
100+ 207.77 грн
250+ 195.79 грн
500+ 185.13 грн
800+ 156.49 грн
FCB125N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcb125n65s3-d.pdf
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCB125N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcb125n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FCB125N65S3 FCB125N65S3 Виробник : onsemi fcb125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
товар відсутній