FCB20N60FTM ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 383.32 грн |
| 3+ | 328.56 грн |
| 10+ | 282.10 грн |
| 25+ | 243.93 грн |
| 50+ | 219.04 грн |
| 100+ | 199.13 грн |
| 500+ | 194.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCB20N60FTM ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FCB20N60FTM за ціною від 191.39 грн до 515.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FCB20N60FTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Power dissipation: 208W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 699 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FCB20N60FTM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FCB20N60FTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FCB20N60FTM | Виробник : onsemi |
MOSFETs 600V NCH FRFET |
на замовлення 10538 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FCB20N60FTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FCB20N60FTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
FCB20N60FTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
FCB20N60FTM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |

