Продукція > ONSEMI > FCB20N60FTM
FCB20N60FTM

FCB20N60FTM onsemi

fcb20n60f-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+206.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCB20N60FTM onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCB20N60FTM за ціною від 184.34 грн до 496.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCB20N60FTM FCB20N60FTM Виробник : ONSEMI fcb20n60f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+393.82 грн
3+337.26 грн
5+202.20 грн
13+191.14 грн
500+189.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM Виробник : onsemi fcb20n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+419.12 грн
10+282.84 грн
100+216.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM Виробник : onsemi / Fairchild FCB20N60F-D.pdf MOSFETs 600V NCH FRFET
на замовлення 10551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+453.80 грн
10+313.91 грн
100+210.79 грн
500+210.03 грн
800+196.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM Виробник : ON Semiconductor fcb20n60f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+463.63 грн
38+324.68 грн
39+321.40 грн
100+245.54 грн
250+184.34 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM Виробник : ONSEMI fcb20n60f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+472.58 грн
3+420.27 грн
5+242.63 грн
13+229.37 грн
500+227.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM Виробник : ON Semiconductor fcb20n60f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+496.75 грн
10+347.87 грн
25+344.36 грн
100+263.08 грн
250+197.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM Виробник : ON Semiconductor 3350347030925052fcb20n60f.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM Виробник : ON Semiconductor fcb20n60f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.