Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FCB20N60TM
FCB20N60TM

FCB20N60TM ON Semiconductor

fcb20n60-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+435.48 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCB20N60TM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FCB20N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FCB20N60TM за ціною від 238.09 грн до 504.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FCB20N60TM FCB20N60TM ON Semiconductor fcb20n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+437.37 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM FCB20N60TM onsemi FCB20N60-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.43 грн
10+327.60 грн
100+238.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM FCB20N60TM onsemi FCB20N60-D.PDF MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 4833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM FCB20N60TM ONSEMI ONSM-S-A0013186961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCB20N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM fcb20n60-d.pdf
FCB20N60TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+437.37 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM FCB20N60-D.PDF
FCB20N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+504.43 грн
10+327.60 грн
100+238.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM FCB20N60-D.PDF
FCB20N60TM
Виробник: onsemi
MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 4833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM ONSM-S-A0013186961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCB20N60TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB20N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.