Продукція > ONSEMI > FCB260N65S3
FCB260N65S3

FCB260N65S3 onsemi

fcb260n65s3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+111.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCB260N65S3 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCB260N65S3 за ціною від 108.62 грн до 310.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCB260N65S3 FCB260N65S3 Виробник : onsemi fcb260n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.80 грн
10+185.62 грн
100+133.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 FCB260N65S3 Виробник : onsemi fcb260n65s3-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.81 грн
10+206.78 грн
100+129.90 грн
800+108.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcb260n65s3-d.pdf
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 FCB260N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcb260n65s3-d.pdf N Channel SuperFET III MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 Виробник : ONSEMI fcb260n65s3-d.pdf FCB260N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.