Продукція > ONSEMI > FCB290N80
FCB290N80

FCB290N80 onsemi

fcb290n80-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Power Dissipation (Max): 212W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+242.27 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCB290N80 onsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA, Power Dissipation (Max): 212W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FCB290N80 за ціною від 226.25 грн до 494.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FCB290N80 FCB290N80 onsemi fcb290n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Power Dissipation (Max): 212W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+470.21 грн
10+321.08 грн
100+244.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80 FCB290N80 onsemi / Fairchild FCB290N80_D-2311856.pdf MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+494.20 грн
10+408.52 грн
25+335.50 грн
100+287.57 грн
250+271.36 грн
500+255.85 грн
800+226.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80 fcb290n80-d.pdf
FCB290N80
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Power Dissipation (Max): 212W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+470.21 грн
10+321.08 грн
100+244.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80 FCB290N80_D-2311856.pdf
FCB290N80
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+494.20 грн
10+408.52 грн
25+335.50 грн
100+287.57 грн
250+271.36 грн
500+255.85 грн
800+226.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.