FCB290N80 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Power Dissipation (Max): 212W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCB290N80 onsemi
Description: ONSEMI - FCB290N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.259 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, Dauer-Drainstrom Id: 17, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 212, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5, Verlustleistung: 212, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: SuperFET II, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.259, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.259, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції FCB290N80 за ціною від 237.81 грн до 456.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCB290N80 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FCB290N80 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA Power Dissipation (Max): 212W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FCB290N80 | onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET |
на замовлення 672 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FCB290N80 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 273.96 грн |
| 1600+ | 264.12 грн |
| FCB290N80 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Power Dissipation (Max): 212W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Power Dissipation (Max): 212W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 456.45 грн |
| 10+ | 311.68 грн |
| 100+ | 237.81 грн |
| FCB290N80 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)