Продукція > ONSEMI > FCB36N60NTM
FCB36N60NTM

FCB36N60NTM ONSEMI

fcb36n60n-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB36N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.081 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+503.42 грн
500+418.42 грн
800+365.01 грн
1600+355.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCB36N60NTM ONSEMI

Description: ONSEMI - FCB36N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.081 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FCB36N60NTM за ціною від 357.23 грн до 576.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCB36N60NTM FCB36N60NTM Виробник : ONSEMI fcb36n60n-d.pdf Description: ONSEMI - FCB36N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.081 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+576.05 грн
5+544.69 грн
10+462.16 грн
50+409.22 грн
100+357.94 грн
250+357.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTM FCB36N60NTM Виробник : onsemi / Fairchild FCB36N60N_D-2311915.pdf MOSFET 600V NChannel MOSFET SupreMOST
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTM Виробник : ON Semiconductor fcb36n60n-d.pdf
на замовлення 7897 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTM FCB36N60NTM Виробник : ON Semiconductor 3655892526496812fcb36n60n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTM FCB36N60NTM Виробник : onsemi fcb36n60n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTM FCB36N60NTM Виробник : onsemi fcb36n60n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.