Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FCB36N60NTM
FCB36N60NTM

FCB36N60NTM onsemi / Fairchild

FCB36N60N_D-2311915.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V NChannel MOSFET SupreMOST
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCB36N60NTM onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FCB36N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.081 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FCB36N60NTM за ціною від 389.21 грн до 726.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FCB36N60NTM FCB36N60NTM ONSEMI fcb36n60n-d.pdf Description: ONSEMI - FCB36N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.081 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTM FCB36N60NTM ONSEMI fcb36n60n-d.pdf Description: ONSEMI - FCB36N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.081 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTM ON Semiconductor fcb36n60n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+514.15 грн
10+470.49 грн
100+389.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTM ON Semiconductor fcb36n60n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+726.77 грн
10+553.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTM ON Semiconductor fcb36n60n-d.pdf
на замовлення 7897 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTM fcb36n60n-d.pdf
FCB36N60NTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB36N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.081 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTM fcb36n60n-d.pdf
FCB36N60NTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB36N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.081 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTM fcb36n60n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+514.15 грн
10+470.49 грн
100+389.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTM fcb36n60n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+726.77 грн
10+553.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTM fcb36n60n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 7897 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.