Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FCD1300N80Z
FCD1300N80Z

FCD1300N80Z onsemi / Fairchild

FCD1300N80Z_D-2311916.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 14273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.31 грн
10+ 117.47 грн
100+ 82.12 грн
250+ 75.44 грн
500+ 68.1 грн
1000+ 58.42 грн
2500+ 53.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD1300N80Z onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FCD1300N80Z

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCD1300N80Z FCD1300N80Z Виробник : ON Semiconductor fcd1300n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FCD1300N80Z FCD1300N80Z Виробник : ON Semiconductor fcd1300n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FCD1300N80Z FCD1300N80Z Виробник : onsemi fcd1300n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
товар відсутній
FCD1300N80Z FCD1300N80Z Виробник : onsemi fcd1300n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
товар відсутній