FCD1300N80Z onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 57.57 грн |
| 5000+ | 54.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCD1300N80Z onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCD1300N80Z за ціною від 52.39 грн до 219.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FCD1300N80Z | onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET |
на замовлення 10420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FCD1300N80Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 4A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V |
на замовлення 19411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FCD1300N80Z | onsemi |
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET |
на замовлення 9260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FCD1300N80Z |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 10420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 156.71 грн |
| 10+ | 118.08 грн |
| 100+ | 74.55 грн |
| 500+ | 61.68 грн |
| 1000+ | 56.26 грн |
| 2500+ | 52.39 грн |
| FCD1300N80Z |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
на замовлення 19411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 191.46 грн |
| 10+ | 119.00 грн |
| 100+ | 81.92 грн |
| 500+ | 62.94 грн |
| FCD1300N80Z |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 9260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 219.06 грн |
| 10+ | 136.68 грн |
| 100+ | 84.39 грн |
| 500+ | 67.72 грн |
| 1000+ | 61.11 грн |
| 2500+ | 60.48 грн |

