Продукція > ONSEMI > FCD1300N80Z
FCD1300N80Z

FCD1300N80Z onsemi

fcd1300n80z-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.44 грн
10+117.57 грн
100+84.41 грн
500+64.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD1300N80Z onsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FCD1300N80Z за ціною від 56.89 грн до 170.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCD1300N80Z FCD1300N80Z Виробник : onsemi / Fairchild FCD1300N80Z-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 10420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.17 грн
10+128.22 грн
100+80.95 грн
500+66.97 грн
1000+61.09 грн
2500+56.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80Z FCD1300N80Z Виробник : ON Semiconductor fcd1300n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80Z FCD1300N80Z Виробник : ON Semiconductor fcd1300n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80Z FCD1300N80Z Виробник : onsemi fcd1300n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80Z Виробник : ONSEMI fcd1300n80z-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 12A; 52W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.2nC
On-state resistance: 1.3Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 52W
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.