Продукція > ONSEMI > FCD2250N80Z
FCD2250N80Z

FCD2250N80Z onsemi

fcd2250n80z-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.86 грн
5000+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD2250N80Z onsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FCD2250N80Z за ціною від 44.34 грн до 154.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCD2250N80Z FCD2250N80Z Виробник : ON Semiconductor 3653704983221192fcd2250n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+89.10 грн
159+81.39 грн
161+80.58 грн
180+69.30 грн
250+63.53 грн
500+55.40 грн
1000+50.93 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80Z FCD2250N80Z Виробник : ON Semiconductor 3653704983221192fcd2250n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+95.46 грн
10+87.20 грн
25+86.34 грн
100+74.25 грн
250+68.06 грн
500+59.36 грн
1000+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80Z FCD2250N80Z Виробник : onsemi fcd2250n80z-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 2.6 A, 2.25 O
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.42 грн
10+96.22 грн
100+61.15 грн
500+48.88 грн
1000+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80Z FCD2250N80Z Виробник : onsemi fcd2250n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
на замовлення 9463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.52 грн
10+95.32 грн
100+64.91 грн
500+48.71 грн
1000+47.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80Z FCD2250N80Z Виробник : ON Semiconductor 3653704983221192fcd2250n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.