Продукція > ONSEMI > FCD2250N80Z
FCD2250N80Z

FCD2250N80Z onsemi

fcd2250n80z-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.94 грн
5000+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD2250N80Z onsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FCD2250N80Z за ціною від 50.00 грн до 168.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCD2250N80Z FCD2250N80Z Виробник : ON Semiconductor 3653704983221192fcd2250n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+87.47 грн
159+79.91 грн
161+79.11 грн
180+68.03 грн
250+62.37 грн
500+54.39 грн
1000+50.00 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80Z FCD2250N80Z Виробник : ON Semiconductor 3653704983221192fcd2250n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+93.72 грн
10+85.61 грн
25+84.76 грн
100+72.89 грн
250+66.82 грн
500+58.28 грн
1000+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80Z FCD2250N80Z Виробник : onsemi fcd2250n80z-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 2.6 A, 2.25 O
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.11 грн
10+109.16 грн
100+69.37 грн
500+55.45 грн
1000+50.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80Z FCD2250N80Z Виробник : onsemi fcd2250n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
на замовлення 9463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.57 грн
10+103.99 грн
100+70.81 грн
500+53.14 грн
1000+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80Z FCD2250N80Z Виробник : ON Semiconductor 3653704983221192fcd2250n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80Z Виробник : ONSEMI fcd2250n80z-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 6.5A; 39W; DPAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 2.25Ω
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6.5A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 39W
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.