Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FCD260N65S3
FCD260N65S3

FCD260N65S3 ON Semiconductor

fcd260n65s3-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+91.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD260N65S3 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCD260N65S3 за ціною від 50.10 грн до 159.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCD260N65S3 FCD260N65S3 Виробник : onsemi fcd260n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.26 грн
10+94.11 грн
100+72.95 грн
500+54.80 грн
1000+53.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3 FCD260N65S3 Виробник : onsemi FCD260N65S3-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 260MOHM TO252
на замовлення 2926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.48 грн
10+109.78 грн
100+68.96 грн
500+54.83 грн
1000+52.85 грн
2500+50.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcd260n65s3-d.pdf
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3 FCD260N65S3 Виробник : onsemi fcd260n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3 Виробник : ONSEMI fcd260n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.