Продукція > ONSEMI > FCD3400N80Z
FCD3400N80Z

FCD3400N80Z ONSEMI

fcu3400n80z-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.97 грн
500+59.48 грн
1000+48.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD3400N80Z ONSEMI

Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FCD3400N80Z за ціною від 48.88 грн до 188.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCD3400N80Z FCD3400N80Z Виробник : ON Semiconductor 3648824885907187fcu3400n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+87.20 грн
10+79.67 грн
25+78.84 грн
100+66.76 грн
250+61.64 грн
500+48.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z FCD3400N80Z Виробник : ON Semiconductor 3648824885907187fcu3400n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+93.91 грн
142+85.79 грн
144+84.91 грн
164+71.90 грн
250+66.39 грн
500+52.64 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z FCD3400N80Z Виробник : ONSEMI fcu3400n80z-d.pdf Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.85 грн
10+91.39 грн
100+70.97 грн
500+59.48 грн
1000+48.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z FCD3400N80Z Виробник : onsemi / Fairchild fcu3400n80z-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.42 грн
10+100.44 грн
100+65.76 грн
250+63.85 грн
500+55.34 грн
1000+53.80 грн
2500+53.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z FCD3400N80Z Виробник : onsemi fcu3400n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.15 грн
10+117.12 грн
100+80.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z FCD3400N80Z Виробник : ON Semiconductor 3648824885907187fcu3400n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z FCD3400N80Z Виробник : ON Semiconductor 3648824885907187fcu3400n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z Виробник : ONSEMI fcu3400n80z-d.pdf FCD3400N80Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z FCD3400N80Z Виробник : onsemi fcu3400n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.