Продукція > ONSEMI > FCD3400N80Z

FCD3400N80Z ONSEMI

Name: FCD3400N80Z
Brand: ONSEMI
SKU: 210753-6
Price: 7553 UAH
Availability: InStock

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 2175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	75.53 грн
500+	58.50 грн
1000+	52.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FCD3400N80Z ONSEMI

Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FCD3400N80Z за ціною від 50.50 грн до 196.16 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

FCD3400N80Z

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
130+	93.45 грн
142+	85.38 грн
144+	84.50 грн
164+	71.55 грн
250+	66.07 грн
500+	52.38 грн

Мінімальне замовлення: 130

В кошику од. на суму грн.

FCD3400N80Z

Виробник : onsemi / Fairchild

6F7D65F73BCB56F3988557633D118C7F2261130869AD2DC5A1827214C4749B62.pdf

MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET

на замовлення 1162 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	96.41 грн
10+	77.17 грн
100+	54.78 грн
500+	50.73 грн
1000+	50.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FCD3400N80Z

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	100.13 грн
10+	91.48 грн
25+	90.53 грн
100+	76.66 грн
250+	70.78 грн
500+	56.12 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FCD3400N80Z

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 2175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	132.18 грн
10+	97.85 грн
100+	75.53 грн
500+	58.50 грн
1000+	52.53 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FCD3400N80Z

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V

на замовлення 276 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	196.16 грн
10+	122.10 грн
100+	83.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FCD3400N80Z

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FCD3400N80Z

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FCD3400N80Z

Виробник : ONSEMI

FCD3400N80Z SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FCD3400N80Z

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.