Продукція > ONSEMI > FCD3400N80Z
FCD3400N80Z

FCD3400N80Z onsemi

fcu3400n80z-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD3400N80Z onsemi

Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FCD3400N80Z за ціною від 53.87 грн до 168.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FCD3400N80Z FCD3400N80Z ON Semiconductor 3648824885907187fcu3400n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.88 грн
10+99.47 грн
25+98.45 грн
100+83.36 грн
250+76.97 грн
500+61.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z FCD3400N80Z ON Semiconductor 3648824885907187fcu3400n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+108.88 грн
142+99.47 грн
144+98.45 грн
164+83.36 грн
250+76.97 грн
500+61.03 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z FCD3400N80Z onsemi fcu3400n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.93 грн
10+104.91 грн
100+71.82 грн
500+54.13 грн
1000+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z FCD3400N80Z onsemi fcu3400n80z-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z FCD3400N80Z ONSEMI FCU3400N80Z-D.pdf Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z FCD3400N80Z ONSEMI FCU3400N80Z-D.pdf Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z ONN fcu3400n80z-d.pdf
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z 3648824885907187fcu3400n80z.pdf
FCD3400N80Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+108.88 грн
10+99.47 грн
25+98.45 грн
100+83.36 грн
250+76.97 грн
500+61.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z 3648824885907187fcu3400n80z.pdf
FCD3400N80Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+108.88 грн
142+99.47 грн
144+98.45 грн
164+83.36 грн
250+76.97 грн
500+61.03 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z fcu3400n80z-d.pdf
FCD3400N80Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.93 грн
10+104.91 грн
100+71.82 грн
500+54.13 грн
1000+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z fcu3400n80z-d.pdf
FCD3400N80Z
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z FCU3400N80Z-D.pdf
FCD3400N80Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z FCU3400N80Z-D.pdf
FCD3400N80Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z fcu3400n80z-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.