FCD3400N80Z ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 79.39 грн |
| 500+ | 70.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCD3400N80Z ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FCD3400N80Z за ціною від 46.99 грн до 142.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCD3400N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FCD3400N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FCD3400N80Z | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V |
на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FCD3400N80Z | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET |
на замовлення 1342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FCD3400N80Z | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FCD3400N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FCD3400N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FCD3400N80Z | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.2A; Idm: 4A; 32W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 4A Power dissipation: 32W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FCD3400N80Z | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FCD3400N80Z | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.2A; Idm: 4A; 32W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 4A Power dissipation: 32W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |