Продукція > ONSEMI > FCD380N60E

FCD380N60E onsemi


fcd380n60e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+65.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD380N60E onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 106W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCD380N60E за ціною від 72.70 грн до 240.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FCD380N60E FCD380N60E onsemi fcd380n60e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 5509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.71 грн
10+132.25 грн
100+91.65 грн
500+72.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60E FCD380N60E onsemi fcd380n60e-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 6374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.93 грн
10+154.00 грн
100+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60E fcd380n60e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 5509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+211.71 грн
10+132.25 грн
100+91.65 грн
500+72.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60E fcd380n60e-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 6374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+240.93 грн
10+154.00 грн
100+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.