Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FCD4N60TM
FCD4N60TM

FCD4N60TM ON Semiconductor

3905510950678826fcd4n60.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.53 грн
5000+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD4N60TM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FCD4N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FCD4N60TM за ціною від 44.45 грн до 178.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : onsemi fcd4n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.75 грн
5000+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : ON Semiconductor 3905510950678826fcd4n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : ON Semiconductor 3905510950678826fcd4n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.16 грн
5000+55.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584408-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCD4N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 13718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.09 грн
500+56.65 грн
1000+50.24 грн
5000+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.67 грн
10+93.62 грн
15+63.47 грн
41+59.50 грн
250+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : onsemi fcd4n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 29976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.36 грн
10+102.27 грн
100+66.28 грн
500+52.32 грн
1000+51.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584408-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCD4N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 13718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+162.34 грн
10+110.22 грн
100+71.09 грн
500+56.65 грн
1000+50.24 грн
5000+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : onsemi / Fairchild FCD4N60-D.pdf MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 3131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.61 грн
10+113.87 грн
100+62.91 грн
500+54.08 грн
1000+51.94 грн
2500+49.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.40 грн
10+116.66 грн
15+76.16 грн
41+71.40 грн
250+69.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : ON Semiconductor 3905510950678826fcd4n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : ON Semiconductor 3905510950678826fcd4n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : ON Semiconductor 3905510950678826fcd4n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : ON Semiconductor 3905510950678826fcd4n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : ON Semiconductor 3905510950678826fcd4n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.