Продукція > ONSEMI > FCD5N60TM-WS
FCD5N60TM-WS

FCD5N60TM-WS onsemi

fcu5n60-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD5N60TM-WS onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCD5N60TM-WS за ціною від 51.30 грн до 131.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS Виробник : onsemi fcu5n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.79 грн
10+83.41 грн
100+68.33 грн
500+55.94 грн
1000+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS Виробник : onsemi / Fairchild fcu5n60-d.pdf MOSFETs 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.00 грн
10+98.75 грн
100+66.27 грн
250+66.20 грн
500+54.24 грн
1000+51.45 грн
2500+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS Виробник : ON Semiconductor fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS Виробник : ON Semiconductor fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS Виробник : ON Semiconductor fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS Виробник : ONSEMI fcu5n60-d.pdf FCD5N60TM-WS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.