Продукція > FAIRCHILD > FCD5N60TM
FCD5N60TM

FCD5N60TM Fairchild

info-tfcd5n60tm.pdf
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD5N60TM Fairchild

Description: ONSEMI - FCD5N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 54W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm.

Інші пропозиції FCD5N60TM за ціною від 43.70 грн до 181.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FCD5N60TM FCD5N60TM onsemi fcu5n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM ONSEMI fcu5n60-d.pdf Description: ONSEMI - FCD5N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.15 грн
500+58.18 грн
1000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM onsemi / Fairchild FCU5N60-D.pdf MOSFETs 650V SUPERFET
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.79 грн
10+70.34 грн
100+52.19 грн
500+47.70 грн
1000+47.08 грн
2500+43.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM ONSEMI FCD5N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+148.55 грн
5+111.35 грн
10+97.22 грн
25+81.43 грн
100+64.82 грн
500+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM ONSEMI ONSM-S-A0003587710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCD5N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.27 грн
10+107.92 грн
100+82.15 грн
500+58.18 грн
1000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM onsemi fcu5n60-d.pdf MOSFETs 650V SUPERFET
на замовлення 6832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.08 грн
10+107.18 грн
100+71.11 грн
500+57.99 грн
1000+51.50 грн
2500+51.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM onsemi fcu5n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 4119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.73 грн
10+112.78 грн
100+77.25 грн
500+58.24 грн
1000+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
FCD5N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
FCD5N60TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD5N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+82.15 грн
500+58.18 грн
1000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCU5N60-D.pdf
FCD5N60TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V SUPERFET
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.79 грн
10+70.34 грн
100+52.19 грн
500+47.70 грн
1000+47.08 грн
2500+43.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60.pdf
FCD5N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+148.55 грн
5+111.35 грн
10+97.22 грн
25+81.43 грн
100+64.82 грн
500+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM ONSM-S-A0003587710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCD5N60TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD5N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+160.27 грн
10+107.92 грн
100+82.15 грн
500+58.18 грн
1000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
FCD5N60TM
Виробник: onsemi
MOSFETs 650V SUPERFET
на замовлення 6832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.08 грн
10+107.18 грн
100+71.11 грн
500+57.99 грн
1000+51.50 грн
2500+51.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
FCD5N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 4119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.73 грн
10+112.78 грн
100+77.25 грн
500+58.24 грн
1000+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.