FCD5N60TM Fairchild


info-tfcd5n60tm.pdf
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 28-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 20 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD5N60TM Fairchild

Description: ONSEMI - FCD5N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 54W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm.

Інші пропозиції FCD5N60TM за ціною від 47.62 грн до 222.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FCD5N60TM FCD5N60TM ON Semiconductor fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM ON Semiconductor fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM ON Semiconductor fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM onsemi / Fairchild FCU5N60-D.pdf MOSFETs 650V SUPERFET
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+95.68 грн
10+76.66 грн
100+56.88 грн
500+51.99 грн
1000+51.31 грн
2500+47.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM ON Semiconductor fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.27 грн
10+134.99 грн
25+133.64 грн
100+104.09 грн
250+95.16 грн
500+77.77 грн
1000+60.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM ONSEMI FCD5N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 0.95Ω
Power dissipation: 54W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Technology: SuperFET®
Drain current: 2.9A
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+171.89 грн
5+127.35 грн
10+102.73 грн
14+73.02 грн
25+72.17 грн
37+68.77 грн
50+66.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM onsemi FCU5N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.52 грн
10+127.76 грн
50+97.53 грн
100+82.38 грн
500+66.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM onsemi FCU5N60-D.pdf MOSFETs 650V SUPERFET
на замовлення 865 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+222.95 грн
10+141.03 грн
100+85.02 грн
500+69.22 грн
1000+63.65 грн
2500+61.39 грн
5000+60.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM ONSEMI FCU5N60-D.pdf Description: ONSEMI - FCD5N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM ONSEMI FCU5N60-D.pdf Description: ONSEMI - FCD5N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+67.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+72.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+76.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCU5N60-D.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V SUPERFET
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.68 грн
10+76.66 грн
100+56.88 грн
500+51.99 грн
1000+51.31 грн
2500+47.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+161.27 грн
10+134.99 грн
25+133.64 грн
100+104.09 грн
250+95.16 грн
500+77.77 грн
1000+60.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 0.95Ω
Power dissipation: 54W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Technology: SuperFET®
Drain current: 2.9A
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+171.89 грн
5+127.35 грн
10+102.73 грн
14+73.02 грн
25+72.17 грн
37+68.77 грн
50+66.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCU5N60-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+205.52 грн
10+127.76 грн
50+97.53 грн
100+82.38 грн
500+66.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCU5N60-D.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 650V SUPERFET
на замовлення 865 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.95 грн
10+141.03 грн
100+85.02 грн
500+69.22 грн
1000+63.65 грн
2500+61.39 грн
5000+60.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCU5N60-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD5N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCU5N60-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD5N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.