Продукція > ONSEMI > FCD5N60TM
FCD5N60TM

FCD5N60TM onsemi

fcu5n60-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD5N60TM onsemi

Description: ONSEMI - FCD5N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FCD5N60TM за ціною від 37.16 грн до 181.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCD5N60TM FCD5N60TM Виробник : ON Semiconductor fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+58.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM Виробник : ON Semiconductor fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+67.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCD5N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.52 грн
500+69.79 грн
1000+61.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM Виробник : onsemi / Fairchild FCU5N60-D.pdf MOSFETs 650V SUPERFET
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.55 грн
10+81.37 грн
100+60.37 грн
500+55.18 грн
1000+54.46 грн
2500+50.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM Виробник : ONSEMI FCD5N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.67 грн
5+95.66 грн
10+86.51 грн
25+74.03 грн
100+62.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM Виробник : ONSEMI FCD5N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.60 грн
5+119.21 грн
10+103.81 грн
25+88.84 грн
100+74.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM Виробник : ON Semiconductor fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+149.13 грн
10+124.83 грн
25+123.58 грн
100+96.25 грн
250+87.99 грн
500+71.92 грн
1000+56.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCD5N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.29 грн
10+111.98 грн
100+87.52 грн
500+69.79 грн
1000+61.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM Виробник : onsemi fcu5n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 4220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.41 грн
10+112.72 грн
100+77.07 грн
500+58.00 грн
1000+57.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM Виробник : Fairchild fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+37.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM Виробник : ON Semiconductor fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM Виробник : ON Semiconductor fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.