Продукція > ONSEMI > FCD600N60Z
FCD600N60Z

FCD600N60Z onsemi

FCD600N60Z-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+56.65 грн
5000+54.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD600N60Z onsemi

Description: ONSEMI - FCD600N60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.4 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 89W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.51ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FCD600N60Z за ціною від 62.10 грн до 200.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FCD600N60Z FCD600N60Z ON Semiconductor 3649493733038340fcd600n60z-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.79 грн
10+145.65 грн
25+144.87 грн
100+109.59 грн
250+95.74 грн
500+81.29 грн
1000+66.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Z FCD600N60Z ON Semiconductor 3649493733038340fcd600n60z-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+176.79 грн
97+144.87 грн
124+109.59 грн
250+95.74 грн
500+81.29 грн
1000+66.78 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Z FCD600N60Z onsemi FCD600N60Z-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 14928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.13 грн
10+125.04 грн
100+86.12 грн
500+65.22 грн
1000+62.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Z FCD600N60Z onsemi FCD600N60Z-D.pdf MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 4505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Z FCD600N60Z onsemi / Fairchild FCD600N60Z-D.pdf MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Z FCD600N60Z ONSEMI FCD600N60Z-D.pdf Description: ONSEMI - FCD600N60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.4 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.51ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Z 3649493733038340fcd600n60z-d.pdf
FCD600N60Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+176.79 грн
10+145.65 грн
25+144.87 грн
100+109.59 грн
250+95.74 грн
500+81.29 грн
1000+66.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Z 3649493733038340fcd600n60z-d.pdf
FCD600N60Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+176.79 грн
97+144.87 грн
124+109.59 грн
250+95.74 грн
500+81.29 грн
1000+66.78 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Z FCD600N60Z-D.pdf
FCD600N60Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 14928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+200.13 грн
10+125.04 грн
100+86.12 грн
500+65.22 грн
1000+62.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Z FCD600N60Z-D.pdf
FCD600N60Z
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 4505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Z FCD600N60Z-D.pdf
FCD600N60Z
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Z FCD600N60Z-D.pdf
FCD600N60Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD600N60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.4 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.51ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.