Продукція > ONSEMI > FCD600N60Z
FCD600N60Z

FCD600N60Z onsemi

fcd600n60z-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+58.08 грн
5000+55.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD600N60Z onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCD600N60Z за ціною від 50.62 грн до 205.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FCD600N60Z FCD600N60Z onsemi / Fairchild FCD600N60Z-D.pdf MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.30 грн
10+101.18 грн
100+65.43 грн
500+57.82 грн
1000+56.42 грн
2500+50.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Z FCD600N60Z onsemi fcd600n60z-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.78 грн
10+126.07 грн
100+81.70 грн
500+66.06 грн
1000+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Z FCD600N60Z onsemi fcd600n60z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 15045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.82 грн
10+128.22 грн
100+88.29 грн
500+66.86 грн
1000+63.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Z FCD600N60Z-D.pdf
FCD600N60Z
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+161.30 грн
10+101.18 грн
100+65.43 грн
500+57.82 грн
1000+56.42 грн
2500+50.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Z fcd600n60z-d.pdf
FCD600N60Z
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+176.78 грн
10+126.07 грн
100+81.70 грн
500+66.06 грн
1000+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Z fcd600n60z-d.pdf
FCD600N60Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 15045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+205.82 грн
10+128.22 грн
100+88.29 грн
500+66.86 грн
1000+63.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.