FCD600N60Z onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 57.91 грн |
| 5000+ | 54.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCD600N60Z onsemi
Description: ONSEMI - FCD600N60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.4 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 89W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.51ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FCD600N60Z за ціною від 53.73 грн до 202.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCD600N60Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FCD600N60Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FCD600N60Z | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V |
на замовлення 15392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FCD600N60Z | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCD600N60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.4 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 89W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.51ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FCD600N60Z | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET |
на замовлення 5442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FCD600N60Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FCD600N60Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FCD600N60Z | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.4A; Idm: 22.2A; 89W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.4A Pulsed drain current: 22.2A Power dissipation: 89W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| FCD600N60Z | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.4A; Idm: 22.2A; 89W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.4A Pulsed drain current: 22.2A Power dissipation: 89W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |