FCD600N65S3R0 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 180.96 грн |
| 10+ | 112.26 грн |
| 100+ | 76.82 грн |
| 500+ | 57.88 грн |
| 1000+ | 53.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCD600N65S3R0 onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V.
Інші пропозиції FCD600N65S3R0 за ціною від 71.11 грн до 188.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FCD600N65S3R0 | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm |
на замовлення 4753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
FCD600N65S3R0 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 6A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FCD600N65S3R0 | ONN |
|
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FCD600N65S3R0 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
MOSFETs SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 188.46 грн |
| 10+ | 119.88 грн |
| 100+ | 71.11 грн |
| FCD600N65S3R0 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FCD600N65S3R0 |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


