Продукція > ONSEMI > FCD600N65S3R0
FCD600N65S3R0

FCD600N65S3R0 onsemi

fcd600n65s3r0-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.37 грн
5000+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD600N65S3R0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCD600N65S3R0 за ціною від 53.60 грн до 194.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCD600N65S3R0 FCD600N65S3R0 Виробник : onsemi fcd600n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
на замовлення 6879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.24 грн
10+107.10 грн
100+73.91 грн
500+57.17 грн
1000+56.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0 FCD600N65S3R0 Виробник : onsemi fcd600n65s3r0-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
на замовлення 7258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.87 грн
10+125.49 грн
100+75.72 грн
500+60.72 грн
1000+56.20 грн
2500+53.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0 FCD600N65S3R0 Виробник : ON Semiconductor fcd600n65s3r0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0 FCD600N65S3R0 Виробник : ON Semiconductor fcd600n65s3r0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0 FCD600N65S3R0 Виробник : ON Semiconductor fcd600n65s3r0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0 Виробник : ONSEMI fcd600n65s3r0-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 15A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0 Виробник : ONSEMI fcd600n65s3r0-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 15A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.