Продукція > ONSEMI > FCD600N65S3R0
FCD600N65S3R0

FCD600N65S3R0 onsemi

fcd600n65s3r0-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.98 грн
10+ 92.54 грн
100+ 73.69 грн
500+ 58.51 грн
1000+ 49.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD600N65S3R0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCD600N65S3R0 за ціною від 48.55 грн до 125.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCD600N65S3R0 FCD600N65S3R0 Виробник : onsemi FCD600N65S3R0_D-2311707.pdf MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.08 грн
10+ 102.62 грн
100+ 71.26 грн
250+ 65.66 грн
500+ 59.67 грн
1000+ 51.08 грн
2500+ 48.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCD600N65S3R0 FCD600N65S3R0 Виробник : onsemi fcd600n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
товар відсутній