Продукція > ONSEMI > FCD620N60ZF
FCD620N60ZF

FCD620N60ZF onsemi

fcd620n60zf-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+57.26 грн
5000+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD620N60ZF onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCD620N60ZF за ціною від 53.74 грн до 191.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCD620N60ZF FCD620N60ZF Виробник : onsemi / Fairchild FCD620N60ZF-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.00 грн
10+70.34 грн
100+58.94 грн
500+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF FCD620N60ZF Виробник : ON Semiconductor 3661667686755726fcd620n60zf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
123+101.55 грн
135+92.06 грн
154+77.95 грн
250+70.18 грн
500+61.76 грн
1000+57.10 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF FCD620N60ZF Виробник : ON Semiconductor 3661667686755726fcd620n60zf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+108.80 грн
10+99.09 грн
25+98.63 грн
100+83.52 грн
250+75.19 грн
500+66.18 грн
1000+61.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF FCD620N60ZF Виробник : onsemi fcd620n60zf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
на замовлення 6598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.28 грн
10+119.13 грн
100+81.80 грн
500+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF FCD620N60ZF Виробник : ON Semiconductor 3661667686755726fcd620n60zf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF FCD620N60ZF Виробник : ON Semiconductor 3661667686755726fcd620n60zf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF Виробник : ONSEMI fcd620n60zf-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; Idm: 21.9A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 21.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.