Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FCD7N60TM-WS
FCD7N60TM-WS

FCD7N60TM-WS ON Semiconductor

3656290684124189fcd7n60.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+74.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD7N60TM-WS ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCD7N60TM-WS за ціною від 64.77 грн до 156.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCD7N60TM-WS FCD7N60TM-WS Виробник : ON Semiconductor 3656290684124189fcd7n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+81.81 грн
157+78.39 грн
158+78.04 грн
159+74.65 грн
250+68.57 грн
500+65.29 грн
1000+64.77 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS FCD7N60TM-WS Виробник : ON Semiconductor 3656290684124189fcd7n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+87.66 грн
10+83.99 грн
25+83.61 грн
100+79.98 грн
250+73.46 грн
500+69.96 грн
1000+69.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS FCD7N60TM-WS Виробник : onsemi fcd7n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.60 грн
10+99.41 грн
100+81.50 грн
500+72.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS FCD7N60TM-WS Виробник : onsemi / Fairchild fcd7n60-d.pdf MOSFETs Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.25 грн
10+116.18 грн
100+83.42 грн
500+76.46 грн
1000+70.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS FCD7N60TM-WS Виробник : ON Semiconductor 3656290684124189fcd7n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS FCD7N60TM-WS Виробник : ON Semiconductor 3656290684124189fcd7n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS FCD7N60TM-WS Виробник : ON Semiconductor 3656290684124189fcd7n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS FCD7N60TM-WS Виробник : ON Semiconductor 3656290684124189fcd7n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS Виробник : ONSEMI fcd7n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS FCD7N60TM-WS Виробник : onsemi fcd7n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS Виробник : ONSEMI fcd7n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.