Продукція > ONSEMI > FCD7N60TM
FCD7N60TM

FCD7N60TM onsemi

FCD7N60-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD7N60TM onsemi

Description: ONSEMI - FCD7N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 83W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm.

Інші пропозиції FCD7N60TM за ціною від 78.36 грн до 239.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FCD7N60TM FCD7N60TM ON Semiconductor fcd7n60d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+107.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM FCD7N60TM ON Semiconductor fcd7n60d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+108.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM FCD7N60TM ON Semiconductor fcd7n60d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM FCD7N60TM onsemi FCD7N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.45 грн
10+150.36 грн
100+104.49 грн
500+79.66 грн
1000+78.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM FCD7N60TM onsemi FCD7N60-D.pdf MOSFETs N-CH/600V/7A SuperFET
на замовлення 10505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM FCD7N60TM ONSEMI FCD7N60-D.pdf Description: ONSEMI - FCD7N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM FCD7N60TM ONSEMI ONSM-S-A0003585047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCD7N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM ONN FCD7N60-D.pdf
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM fcd7n60d.pdf
FCD7N60TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+107.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM fcd7n60d.pdf
FCD7N60TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+108.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM fcd7n60d.pdf
FCD7N60TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM FCD7N60-D.pdf
FCD7N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.45 грн
10+150.36 грн
100+104.49 грн
500+79.66 грн
1000+78.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM FCD7N60-D.pdf
FCD7N60TM
Виробник: onsemi
MOSFETs N-CH/600V/7A SuperFET
на замовлення 10505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM FCD7N60-D.pdf
FCD7N60TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD7N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM ONSM-S-A0003585047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCD7N60TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD7N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM FCD7N60-D.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.