FCD7N60TM ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FCD7N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 101.02 грн |
| 500+ | 84.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCD7N60TM ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD7N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FCD7N60TM за ціною від 72.74 грн до 234.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCD7N60TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
на замовлення 1760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FCD7N60TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-CH/600V/7A SuperFET |
на замовлення 13698 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FCD7N60TM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCD7N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FCD7N60TM | Виробник : onsemi |
MOSFETs N-CH/600V/7A SuperFET |
на замовлення 13695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FCD7N60TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FCD7N60TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FCD7N60TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FCD7N60TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FCD7N60TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FCD7N60TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FCD7N60TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.4A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |