FCD850N80Z onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCD850N80Z onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FCD850N80Z за ціною від 73.27 грн до 220.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FCD850N80Z | onsemi |
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET |
на замовлення 10457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
FCD850N80Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 18066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FCD850N80Z | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FCD850N80Z |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 10457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.34 грн |
| 2500+ | 73.27 грн |
| FCD850N80Z |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 220.43 грн |
| 10+ | 138.28 грн |
| 100+ | 95.95 грн |
| 500+ | 76.52 грн |
| FCD850N80Z |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


